鄂尔多斯科技成果转化
院所
半导体研究所
北京市海淀区清华东路甲35号

历史沿革

1956年 在中国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一,成立中国科学院物理研究所半导体研究室。
1957年秋天 半导体研究室拉制成功了中国第一根锗单晶。
1958年初秋 在林兰英带领下,中国的第一根硅单晶诞生。
1960年9月6日 在中国科学院物理研究所半导体研究室基础上成立中国科学院半导体研究所,隶属于中国科学院。
1967年 半导体所划归国防科委第14院管辖,称为1420所,对外京字129部队编号。
1970年 1420所完成研究室调整,新成立五室(半导体微波器件研究室)与六室(半导体电子学应用仪器研究室)。
1975年 恢复中国科学院半导体研究所名称,隶属于中国科学院。

专家团队

半导体研究所现有职工690余名,其中科技人员480余名,中国科学院院士6名,中国工程院院士2名,正副研究员及高级工程技术人员209名,“百人计划”入选者及国家“杰青”获得者44人次、国家百千万人才工程入选者6名。其中黄昆先生荣获2001年度国家最高科学技术奖。
中国科学院院士(6人):李树深、王占国、王圩、夏建白、郑厚植、王启明;
中国工程院院士(2人):梁骏吾、陈良惠;
千人计划(7人):张韵、李明、骆军委、张俊、王毅军、魏大海、游经碧;
百人计划(21人):祝宁华、牛智川、刘育梁、常凯、吴南健、姬扬、杨晋玲、张兴旺、马文全、杨涛、张新惠、杨林、李京波、王开友、袁国栋、朱海军、阿卡迪、魏钟鸣、王智杰、李兆峰、刘颖。