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余学峰

余学峰

硕士生导师 新疆理化技术研究所 微电子技术
个人简介

余学峰,男,1986-07获兰州大学学士学位,2008-10至今任中科院新疆理化技术研究所研究员、硕士生导师。

研究领域

应用物理

成果及荣誉

(1)MOS结构热载流子注入与总剂量辐照响应的相关性,三等奖,省级,2007
(2)不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性,一等奖,省级,2005
(3)中华人民共和国国务院政府特殊津贴,国家级,2000
(4)中国科学院优秀青年奖,院级,1999
(5)抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究,二等奖,省级,1998
(6)中国青年科技奖,国家级,1998
(7)抗辐射加固技术-元器件新结构新工艺研究,一等奖,部委级,1992

承担科研项目

(1)新型宇航器件总剂量辐射试验方法和评估技术研究,主持,国家级,2011-01--2016-12
(2)半导体器件不同剂量率辐照试验,主持,国家级,2010-01--2016-12
(3)新型器件试验方法和评估技术研究,主持,国家级,2011-01--2016-12
(4)SOI器件稳态试验方法研究,主持,国家级,2011-01--2015-12
(5)微纳器件在空间不同损伤效应联合作用下的可靠性研究,主持,国家级,2015-01--2018-12
(6)空间辐射效应模拟试验与评估,主持,部委级,2015-12--2022-12
(7)电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子效应影响机制,参与,国家级,2015-09--2019-12
(8)面向器件研制过程的总剂量辐射效应评估技术,参与,部委级,2016-08--2018-06

热门文献

总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应,物理学报2016年09期,2016,第11作者
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究,物理学报2015年08期,2015,第11作者
静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法,物理学报2014年08期,2014,第11作者
半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响,发光学报2014年04期,2014,第11作者
总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究,物理学报,2013,第11作者
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究,微电子学,2013,第11作者

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